深化5G/6G布局　氮化鎵/磷化銦微縮再進化(2)

2023-05-11

Nadine Collaert

研究報告顯示，氮化鎵(GaN)高電子遷移率電晶體(HEMT)和磷化銦(InP)異質接面雙極電晶體(HBT)成功在矽技術平台上實現微縮化，並與互補式金屬氧化物半導體(CMOS)元件共整合，滿足新一代高流量無線網路的技術需求。

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改良矽基氮化鎵的射頻性能

依據不同基板，氮化鎵技術包含以下幾種：氮化鎵塊材基板、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)，以及矽基氮化鎵(GaN-on-Si)。GaN-on-SiC目前已納入多項研究，並用於5G基地站等基礎設施。比起塊材氮化鎵，GaN-on-SiC的成本效益更高，加上碳化矽具備極佳的熱傳導能力，有助於高功率傳輸的基礎設施排除產生的熱能。然而，碳化矽基板的成本高，且尺寸受限，因此較不適合量產。

相較之下，GaN-on-Si有可能擴大規模，採用8吋甚至是12吋晶圓。多虧了功率電子元件幾十年來的創新，氮化鎵才能在大尺寸矽基板的整合技術方面取得重大進展。但若要達到最佳的射頻性能，還需要進一步改良GaN-on-Si技術。主要挑戰包含達到GaN-on-SiC等級的大訊號功率性能與可靠度，以及提高操作頻率。為此，持續研發創新的堆疊設計、選用不同材料、縮短HEMT閘極長度、抑制寄生現象，以及盡可能避免射頻訊號失真，皆為不可或缺的技術發展。

在imec為射頻元件研發的GaN-on-Si製程中，首先於8吋矽晶圓採用有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)進行磊晶成長。該磊晶結構包含專屬設計的氮化鎵或氮化鋁鎵(AlGaN)緩衝層、氮化鎵通道、氮化鋁(AlN)側壁和氮化鋁鎵阻障層。接著，具備氮化鈦(TiN)蕭特基金屬閘極的氮化鎵HEMT元件在(低溫)後段製程與三層銅材進行整合。

近期，imec在其GaN-on-Si平台首次取得接近GaN-on-SiC的輸出功率與功率轉換效率(PAE)，極具競爭優勢(圖3)。功率轉換效率是評估功率放大器的常用指標，其考量功率放大器的增益對整體效率的影響。

圖3　GaN-on-Si的性能測試數據(發表於2022年IEEE國際電子會議)　(資料來源：[1] H.W. Then et al., IEDM 2020; [2] H.W. Then et al., IEDM 2021; [3] W. Wang et al., J-EDS 2018; [4] Y.C. Lin et al., Micromachines 2020; [5] M. Mi et al., TED 2017; [6] Y. Zhang et al., EDL 2018; [7] K. Harrouche et al., HAL open science, 2020; [8] J.-S. Moon et al., MTTS 2019)

除了技術研發，進行模擬最終也將有助於提升性能與可靠度。舉例而言，imec在2022年IEEE國際電子會議(IEDM)推出了射頻元件的熱傳輸模擬架構。在一項矽基氮化鎵HEMT的研究中，模擬結果顯示，元件的最高溫度比原先預期高了三倍。這類模擬工作能進一步引導如何在研發階段優化射頻元件及其布局。

6G次太赫茲InP-on-Si元件：三種製程方法

如先前展示，不論採用何種製程技術，在140GHz操作頻率下，磷化銦HBT能在輸出功率與效率之間取得最佳平衡。研究團隊也能實現達到最佳射頻性能的元件設計。元件製造部分，通常會從小尺寸(6吋以下)的基板著手，採用具備研究性質的製程，與CMOS並不相容。

但若在這塊矽基板上整合磷化銦元件，性能會有何改變？眾所皆知，在矽基板上沉積磷化銦容易出現大量缺陷，主要為穿隧差排(Threading Dislocation)與面缺陷(Planar Defect)。這些缺陷將誘發漏電流，進而導致元件性能大幅降低或出現可靠度問題。

目前正在考量的微縮製程有三種，其中兩種直接在矽基板上成長磷化銦，最後一種需要經過晶圓重組(圖4)。現有製程使用小尺寸的磷化銦基板，與之相比，這三者的成本效益預計更高，但在性能、成本與異質整合方面各有優缺點。依照不同的應用(包含基礎設施與行動裝置)，imec已著手評估各自的發展優勢與技術挑戰。

圖4　不同的矽基磷化銦磊晶成長技術：(a)奈米脊工程(b)在空白晶圓磊晶成長並導入應變鬆弛的緩衝層(c)晶圓重組

第一種矽基磷化銦HBT製程(圖4b)直接在矽基板上沉積應變鬆弛的緩衝層，以彌補矽材與磷化銦晶格不匹配(8%)所帶來的性能損失。接著，直接在緩衝層上成長磷化銦。以更大尺寸的晶圓來製造元件極具成本優勢，尤其是部分矽材還能重複使用。但若要減少缺陷數量，還需進一步研發改良。

撇開這種在「空白晶圓」磊晶成長的做法，imec提出奈米脊工程作為替代製程(圖4a)，以更有效的方式解決晶格缺陷問題。奈米脊工程技術在預先圖形化的矽基板上選擇性地沉積三五族材料。這些脊型結構具備高深寬比，能夠有效地把捕獲到的缺陷集中在窄溝底部，還可在溝槽外成長出高品質、低缺陷的材料。奈米脊的構形越往上越寬，頂部可作為元件堆疊的實心基底。先前從砷化鎵(GaAs)、磷化銦鎵(InGaP)研究獲得的研究洞見將能帶領砷化銦鎵(InGaAs)、磷化銦奈米脊HBT元件邁向最佳化設計(圖5、圖6)。

除了直接進行磊晶成長，磷化銦還能透過晶圓重組與矽晶圓連接。在該製程中，高品質的磷化銦基板不論有無主動層，都會在組成晶圓時分割成不同的方塊。這些方塊隨後以晶粒對晶圓(Die-to-wafer)接合技術與矽晶圓連接。關鍵挑戰在於如何有效轉移材料並移除磷化銦基板，目前正在考量幾種技術以實現這項目標。

邁向異質整合未來

矽基三五族功率放大器最終必須與負責校正與控制的CMOS元件進行整合。imec正在研究多種異質整合方案，權衡各自導入不同應用的利弊。

最常見的射頻元件系統級封裝(SiP)是先進層壓基板(Laminate Substrate)技術，而迎向高頻應用的優化技術如今也處於研發階段。imec也在探索其它先進的異質整合技術，包含2.5D中介層與3D整合技術。

值得注意的是，在100GHz以上的超高頻波段，天線模組將會界定訊號收發器的可用空間範圍。確實，頻率越高波長越短，天線陣列也越來越小。100GHz以上的天線尺寸會比前端模組還小，儘管操作頻率變高，前端模組的尺寸卻難以隨之微縮。關於大型天線陣列的配置，一種有意思的做法是將射頻前端模組移至天線陣列下方。這時就能導入3D整合技術，不論是晶粒對晶圓(Die-to-wafer)接合或是晶圓接合，都能在前端模組與天線模組之間建立明確的短距連接。不過熱管理仍是3D整合的一大問題，開發有效的散熱器將成關鍵。imec現在正進行全面性的系統技術偕同優化(STCO)分析，以評估不同的3D整合技術，並從系統級的視角來影響技術選擇。

手持裝置方面，由於減少天線數量能放寬設計限制，2.5D中介層技術因而備受關注。該異質整合技術運用元件層堆疊，並搭配微影製程的導線，甚至是矽穿孔，以連接三五族元件與CMOS元件。在這種設計下，三五族元件緊鄰CMOS晶片，因為這兩種晶片都能與散熱器直接相接，因此熱管理的成效更佳。不過，這種結構只能進行一維波束掃描(Beam Steering)。現階段，研究人員正在評估2.5D中介層技術的硬體設計，尋找基板、介電材料與重分布層(RDL)的最佳組合，進而降低元件損耗。例如，imec初步展示了鎖定射頻應用的矽中介層技術(圖7)，選用傳統的矽基板、半加成法製程(mSAP)的銅導線，以及旋轉塗佈式(Spin-on)的低介電常數材料；這些介電材料在100GHz以上能夠具備極低的導線損耗。