ST的NAND快閃記憶體資料傳輸率創世界記錄

2006-02-19
意法半導體(STMicroelectronics)揭示了先進4Gigabit NAND快閃記憶體技術細節,新產品實現世界記錄的36MBps 資料傳輸率,較目前所能達到的最佳效能高出50%。在日前於舊金山舉行的國際固態積體電路(ISSCC)上,意法半導體與Hynix的研究員合作撰寫的論文首度公開此一新元件,該元件結合可檢測並在每頁校正多達五項錯誤的強大嵌入式錯誤校正處理器,以便在簡化記憶體系統設計的同時保證更高的可靠度與更快的資料傳輸率。  
意法半導體(STMicroelectronics)揭示了先進4Gigabit NAND快閃記憶體技術細節,新產品實現世界記錄的36MBps 資料傳輸率,較目前所能達到的最佳效能高出50%。在日前於舊金山舉行的國際固態積體電路(ISSCC)上,意法半導體與Hynix的研究員合作撰寫的論文首度公開此一新元件,該元件結合可檢測並在每頁校正多達五項錯誤的強大嵌入式錯誤校正處理器,以便在簡化記憶體系統設計的同時保證更高的可靠度與更快的資料傳輸率。  

高密度NAND快閃記憶體是迅速成長之可攜式大量儲存裝置的關鍵元件,如USB隨身碟或MP3播放器。到目前為止,對更大記憶體容量與更低每位元成本的需求不斷提升,是此一市場的主要特性。多層單元(MLC)技術能讓每個NAND快閃記憶體單元儲存兩個或更多的資料位元,在密度與成本上帶來更多優勢,但與單位元單元 (SBC)NAND快閃記憶體相比,MLC技術可能會損害資料保存並減少記憶體週期效能。為此,MLC NAND快閃記憶體通常需要更複雜的錯誤校正碼(ECC)電路,而當前的SBC與MLC NAND快閃記憶體均使用演算法來實現錯誤校正。然而,這些應用中常用於系統處理的處理器通常缺乏實現這些演算法最佳化所需的模組化計算指令,導致其資料傳輸率僅能達到數Mbps。  

意法半導體的新元件採用完全不同的方法,它將複雜的ECC處理器嵌入在快閃記憶體中。這個專用處理器可實現一種稱為BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)的高效錯誤檢測技術,該技術已被廣泛用於無線區域網路(WLAN)與其他必須可靠地檢測並校正多重資料傳輸錯誤的應用中。此外,這個嵌入式ECC處理器採用創新架構,針對像MP3播放器、USB隨身碟這類位元導向、串列讀出的記憶體應用,為ECC計算進行最佳化,能大幅減小矽晶片面積、延遲與功耗。因此,意法半導體的元件可達到36Mbps的讀取速率,與之前提出的在錯誤校正前可達23Mbps傳輸率的元件相比,新元件的效能已大幅改善。  

意法半導體網址:www.st.com  

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