瑞薩電子 IC IGBT SiC MOSFET EV 功率元件

瑞薩推出新款閘極驅動IC

2023-02-16
瑞薩電子宣布推出新款閘極驅動IC,以驅動IGBT(絕緣閘雙極性電晶體)和SiC(碳化矽)MOSFET等用於電動汽車(EV)逆變器高壓功率元件。

閘極驅動IC是EV逆變器的重要元件,在用於控制的MCU與功率放大的IGBT和SiC MOSFET之間提供介接。在低壓域中接收來自MCU的控制信號,並依據這些訊號快速開啟和關閉高壓域中的功率元件。為適用更高電壓的EV電池,RAJ2930004AGM內建3.75kVrms(kV均方根)隔離器,高於前一代產品中的2.5kVrms隔離器,可支援耐壓最高1200V。此外,新款驅動IC具有卓越的CMTI(共模瞬態耐受性)性能(150V/ns或更高),可提供可靠的通訊和更好的耐受性,同時滿足逆變器系統所需的高電壓和快速開關切換速度。新產品在小型SOIC16封裝中提供了閘極驅動器的基本功能,使其成為高效能逆變器系統的最佳選擇。

RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT或其他製造商的IGBT和SiC MOSFET一起使用。除了牽引逆變器外,閘極驅動IC亦非常適合使用在各種功率半導體的應用中,例如車用充電器和直流/直流轉換器。為幫助開發人員快速將產品推向市場,瑞薩提供xEV逆變器套件解決方案,將閘極驅動IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結合,並預計於2023年上半年發布整合了新閘極驅動IC的方案。該產品透過實現高效能的逆變器來協助提升電動汽車的普及率,進而最大限度地減少對環境的影響。

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