英飛凌EiceDRIVER系列解決功率MOSFET驅動問題

2018-09-25
在開關式電源供應器 (SMPS) 中,每次導通或截止功率 MOSFET 的過程中,寄生電感會造成地電位的偏移。這可能導致閘極驅動 IC 不受控制的切換行為。在極端情況下,可能導致功率 MOSFET 電氣過載以及 SMPS 故障。為解決此問題,英飛凌旗下 EiceDRIVER 系列推出單通道低側閘極驅動 IC 1EDN7550 與 1EDN8550,具有真正的差分輸入控制,可有效防止功率 MOSFET 誤觸發。1EDN7550 與 1EDN8550 適用於工業、伺服器及電信 SMPS 以及無線充電應用、電信 DC-DC 轉換器,以及電動工具。

EiceDRIVER 1EDN7550 與 1EDN8550 具±70 V最高抗靜態接地偏移的能力,在最高 ±150V 的動態接地偏移之下仍可保證安全運作,且無需切斷接地迴路。由於該款閘極驅動 IC 具有真正的差分輸入判斷,因此只有兩個輸入之間的電壓差值會對閘極驅動 IC 的切換行為產生決定性作用。1EDNx550 EiceDRIVER 非常適合控制具有 Kelvin 源極接點的功率 MOSFET。這些閘極驅動 IC 提供非常充足的抗接地偏移能力,不受功率 MOSFET 的寄生源極電感造成的地電位偏移影響。相較於電氣隔離型閘極驅動 IC,這些單通道低側閘極驅動 IC 具更佳的成本優勢以及節省更多的空間。

此外,1EDNx550 系列是適用於控制 IC (提供控制訊號至閘極驅動 IC) 到閘極驅動 IC 之間具有很長的走線距離的應用。這可能是因為產品設計的需求、所選擇的印刷電路板技術,或控制小卡的概念。上述情況的共通點為,寄生地迴路電感是造成控制 IC 與閘極驅動 IC 之間發生地電位偏移的原因。1EDNx550 系列能夠解決上述挑戰,並可縮短產品開發時間。

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