貿澤電子(Mouser Electronics)即日起供貨安森美(onsemi)EliteSiC碳化矽(SiC)系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組(PIM)，以及符合AEC-Q100標準的裝置。這些裝置經過最佳化，可為能源基礎建設及工業驅動應用提供高可靠度和高效能。
再生能源和高功率工業應用需要高崩潰電壓(BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大閘極至源極電壓(VGS)範圍為-15V至+25V，適用於閘極電壓達到-10V的快速切換應用，進而提高系統可靠度。1700V EliteSiC MOSFET可在1200V、40A測試條件下實現領先市場的200nC超低閘電荷(Qg)，在快速切換、高功率再生能源應用中具備很高的效率。
NDSH25170A與NDSH10170A EliteSiC肖特基二極體的額定BV為1700V，在最大反向電壓(VRRM)與重複尖峰反向電壓之間具有更大的邊限。這些裝置還使得設計者能夠在高溫下實現穩定的高電壓作業，並且不會影響SiC的高效率。
無論是電動車充電站、利用再生能源的電力網，還是高電壓/高電流的工業驅動應用，安森美EliteSiC都能實現最高的效率，並降低功率損失。