RFMD發表兩款高線性氮化鎵(GaN)射頻(RF)不匹配功率電晶體(UPT)--RFHA3942(35瓦(W))及RFHA3944(65瓦)--提供相較於競爭性GaN電晶體更良好的線性效能。
RFMD發表兩款高線性氮化鎵(GaN)射頻(RF)不匹配功率電晶體(UPT)--RFHA3942(35瓦(W))及RFHA3944(65瓦)--提供相較於競爭性GaN電晶體更良好的線性效能。
RFMD功率寬頻業務部副總裁暨總經理Jeff Shealy表示，RFMD非常高興擴大其GaN產品組合，透過線性功率性能，以支援多樣化的終端市場。RFMD的氮化鎵產品組合清楚地說明RFMD的技術和產品特色，期待推出更多具有良好功率密度、高效率、堅固耐用，以及具備綠能電源優勢的GaN元件。
RFHA3942和RFHA3944的發表是承繼先前推出的RF393X系列UPT，其主要鎖定連續波(CW)和脈衝峰值功率應用。全新系列的GaN分立式放大器針對Back-off操作或較低雜散性能的寬頻應用而最佳化。RFMD計畫在未來十二個月內進一步發表10瓦和95瓦線性GaN元件來提升其技術領導地位，以大幅擴充RFMD提供給客戶的氮化鎵UPT產品選項。
RFMD網址：www.rfmd.com