意法半導體(STMicroelectronics)，宣布在功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的性能方面取得突破，採用新的MDmesh V技術，擁有業界單位晶片面積較低的導通電阻。MDmesh V使得意法半導體新一代的650伏特金屬氧化物半導體場效電晶體，採用緊湊型功率封裝，可將RDS(ON)降到0.079歐姆(Ω)以下，擁有業界領先的效能和功率。這些產品的應用是鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統。
意法半導體(STMicroelectronics)，宣布在功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的性能方面取得突破，採用新的MDmesh V技術，擁有業界單位晶片面積較低的導通電阻。MDmesh V使得意法半導體新一代的650伏特金屬氧化物半導體場效電晶體，採用緊湊型功率封裝，可將RDS(ON)降到0.079歐姆(Ω)以下，擁有業界領先的效能和功率。這些產品的應用是鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統。
33安培的STP42N65M5是意法半導體首款的MDmesh V產品，採用TO-220封裝，額定導通電阻為0.079Ω。降低的導通電阻有助於提升效能，在大多數功率轉換系統中，可提供業界較低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列產品還提供其他的封裝選擇，包括表面貼裝D2PAK以及TO-220FP、I2PAK和TO-247等封裝。目前已量產的STx16N65M5系列也是650伏特產品，額定RDS(ON)為0.299Ω，額定電流為12安培。意法半導體的MDmesh V 650伏特金屬氧化物半導體場效電晶體產品藍圖還包括電流更大的產品，RDS(ON)低至0.022Ω的Max247封裝及0.038Ω的TO-247封裝。
MDmesh V為意法半導體已成功的Multi-Drain Mesh技術的新產品，透過改進晶體管的漏極架構，降低漏極源電壓降，在單位面積導通電阻RDS(ON)表現優異。此項優點可降低這款產品的on-state損耗，同時還能保持很低的閘極電荷量(Qg)，在高速轉換實現優異的效能，提供低RDS(ON) x Qg的靈敏值 (Figure of Merit, FOM)。新產品650伏特的擊穿電壓高於其他競爭者的600伏特產品，為研發工程師提供了一個十分寶貴的安全裕度(Safety Margin)。意法半導體的MDmesh V金屬氧化物半導體場效電晶體的另一項優點是關斷波形更加平滑，因為降低的電磁干擾(EMI)，使得閘極控制更加容易，且濾波設計更加簡單。
MDmesh V MOSFET的節能優勢和高功率密度將會為終端產品的節能帶來實質性提升，如筆記本電腦的電源轉換器、液晶顯示器及電視機、燈光穩壓器、電信設備、太陽能轉換器及其他需要高壓功率因數校正或轉換模式的功率轉換等應用設備。
意法半導體網址：www.st.com