Aviza推出12吋晶圓級離子束沉積系統StratIon fxP

2008-11-19
Aviza宣布推出全球第一台12吋晶圓級離子束沉積系統StratIon fxP,並已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC。StratIon fxP將用於研發次世代磁控穿隧接合面(MTJ)裝置,以應用在包括磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、硬碟驅動讀寫頭或RF元件。該系統也將用於先進CMOS製程的金屬閘極沉積中。除將該系統出貨,CEA-LETI外與Aviza簽署一項三年聯合發展計劃,內容包括未來MRAM和自旋電子裝置將會用到的MTJ沉積製程研發。  
Aviza宣布推出全球第一台12吋晶圓級離子束沉積系統StratIon fxP,並已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC。StratIon fxP將用於研發次世代磁控穿隧接合面(MTJ)裝置,以應用在包括磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、硬碟驅動讀寫頭或RF元件。該系統也將用於先進CMOS製程的金屬閘極沉積中。除將該系統出貨,CEA-LETI外與Aviza簽署一項三年聯合發展計劃,內容包括未來MRAM和自旋電子裝置將會用到的MTJ沉積製程研發。  

StratIon fxP系統使用離子束製程來沉積金屬和介電薄膜,是為高產量生產矽晶廠所設計的,已生產的驗證硬體和軟體平台,可依預清洗、氧化和沉積等三種標準腔室型態組裝。其他Aviza的沉積腔室,如原子層沉積(ALD)和磁控PVD能視彈性需要良好無縫地連接整合到此系統中。相較於現有的MTJ沉積系統,StratIon fxP擁有成本低/產出高,同時在工廠占地面積也較小。  

Aviza的離子束沉積系統具有傳統磁控濺射法所沒有的重要優勢,使用Aviza專利的M0RI電漿源能在超低壓力下沉積薄膜,比現有MTJ濺射沉積設備所生產的薄膜要平滑兩倍。在MTJ疊層中,最薄的薄膜厚度小於10埃,而平滑度是一個關鍵參數。StratIon fxP能在12吋晶圓上生產方均根粗糙度小於2埃、厚度非均勻性小於0.5%的薄膜。  

Aviza總裁兼首席執行官Jerry Cutini表示,很榮幸能與Leti這樣傑出的研究中心成為合作夥伴。相信兩家公司在這次技術專業方面的結合與合作下,將會加速MRAM和自旋電子技術的普遍應用。Aviza和Leti將支持IC製造商於MRAM和自旋電子產品領域取得優勢,為這些廠商尋求由研發到量產的轉變。  

Aviza網址:www.aviza.com  

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