意法半導體推出創新高壓電晶體技術

2009-05-20
全球功率半導體技術供應商意法半導體(ST)推出全新功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品,結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性,以及較低的電能耗損率,相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用。
全球功率半導體技術供應商意法半導體(ST)推出全新功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品,結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性,以及較低的電能耗損率,相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用。

STx7N95K3系列的推出,為功率金屬氧化物半導體場效電晶體市場切割出全新的950伏特擊穿電壓標準產品區間。該區間的產品特別適用於那些將電壓提升至400伏特或更高,以儘可能降低能源耗損的系統,與其他品牌的900伏特產品相比,意法半導體的950伏特功率金屬氧化物半導體場效電晶體電晶體擁有更大的安全工作面積,也因此具備更高的可靠度。同時,設計人員還可用單一950伏特金屬氧化物半導體場效電晶體取代雙電晶體電路,從而簡化電路設計、縮減尺寸,並減少使用的元件數量。

此外,意法半導體該系列亦較其他品牌擁有更高的雪崩電流。該項優勢確保產品能夠承受高於擊穿電壓的電湧,以防止過量電湧燒毀元件,最新的900伏特產品擁有9安培的雪崩電流,而市面上功能最接近的產品僅有1安培的雪崩電流。同時,透過達成低閘電荷量和低固有電容,新推出的金屬氧化物半導體場效電晶體系列產品能提供優異的開關性能,讓設計人員能使用更高的開關頻率,並進一步採用更小的元件,以提升效能及功率密度。

意法半導體網址:www.st.com

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