凌力爾特(Linear)日前宣布推出寬廣輸入範圍、電流模式、升壓、反馳或SEPIC控制器LTC1871X，該元件可驅動N通道功率MOSFET，並只需極少外部元件。LTC1871X適用於低至中功率應用，透過利用功率MOSFET的導通電阻無需電流感測電阻，因此可將效率提升到最高。LTC1871X之設計並針對高達175°C的高溫環境而最佳化。
凌力爾特(Linear)日前宣布推出寬廣輸入範圍、電流模式、升壓、反馳或SEPIC控制器LTC1871X，該元件可驅動N通道功率MOSFET，並只需極少外部元件。LTC1871X適用於低至中功率應用，透過利用功率MOSFET的導通電阻無需電流感測電阻，因此可將效率提升到最高。LTC1871X之設計並針對高達175°C的高溫環境而最佳化。
此元件的電氣參數在高達175°C時100%經過測試，在–40°C至175°C的整個溫度範圍內具備±2%的VREF的準確度。LTC1871X可彈性地用於升壓、SEPIC或反馳拓撲，非常適合井下鑽孔應用中常見的多種電池供電應用。
該元件的高載模式(Burst Mode)運作，提供低靜態電流，適合需延長電池壽命的應用。特定的Cu/Ni/Au接合焊盤鍍層，可確保在高溫環境中實現長使用壽命，同時纖巧的MSOP-10封裝，更提供了接腳占位精小的解決方案。
此元件性能概要，如在175°C時100%經過測試、在–40°C至175°C範圍內，提供±2%基準精度、高效率(無需感測電阻)、寬廣輸入電壓範圍2.5V至36V、電流模式控制提供卓越的暫態響應、高最大工作週期(典型值為92%)、具100mV遲滯的±2%RUN針腳門檻、微功率關機IQ=10μA、可透過外部電阻編程的操作頻率(65kHz至900kHz)、可同步至高達1.3×fOSC的外部時脈、由用戶控制的脈衝跳略或高載模式運行等。