TI針對IGBT與SiC FET設計推出閘極驅動器

2013-03-12
德州儀器(TI)宣布推出35伏特(V)單通道輸出電源管理閘極驅動器--UCC27531與UCC27532,針對絕緣閘雙極電晶體(IGBT)與碳化矽(SiC)單結型場效應電晶體FET而製。UCC27531與UCC27532輸出級閘極驅動器支援獨立輸出,可為隔離式電源設計提供最高效率輸出驅動功能、最低傳輸延遲及更完善系統防護,應用範圍如太陽能直流對交流(DC-AC)逆變器、不斷電電源供應與電動車充電等。
德州儀器(TI)宣布推出35伏特(V)單通道輸出電源管理閘極驅動器--UCC27531與UCC27532,針對絕緣閘雙極電晶體(IGBT)與碳化矽(SiC)單結型場效應電晶體FET而製。UCC27531與UCC27532輸出級閘極驅動器支援獨立輸出,可為隔離式電源設計提供最高效率輸出驅動功能、最低傳輸延遲及更完善系統防護,應用範圍如太陽能直流對交流(DC-AC)逆變器、不斷電電源供應與電動車充電等。

現今再生能源應用需要更有效率、安全地傳送電力的電源元件。設計人員希望採用在超過400V的電壓下仍可降低功耗的IGBT或最新SiC FET。這些裝置不但支援高達 1200V的暫時過電壓(Stand-off Voltage),而且提供比同等MOSFET更低的導通電阻(ON Resistance)。德州儀器微控制器(MCU)或專用數位電源控制器可管理這些裝置。此外,以新一代IGBT和SiCFET為基礎的設計方案需要從功率級雜訊開關環境中隔離電源與訊號。

UCC27531和UCC27532可避免數位控制器在太靠近電源電路系統的地方運作,延長隔離式電源設計方案的壽命。最新輸出驅動器可於大電流、高電壓設計中提高安全性與系統效能。

德州儀器網址:www.ti.com

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