意法(ST)最新的900V MDmes K5超接面MOSFET讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高效的系統需求，其擁有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態特性。
意法(ST)最新的900V MDmes K5超接面MOSFET讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高效的系統需求，其擁有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態特性。
900V崩潰電壓確保在高匯流排電壓系統應用下具有更高的安全係數。新系列產品含有第一個RDS(ON)導通電阻低於100mΩ的900V MOSFET，DPAK產品並提供工規最佳的RDS(ON)阻抗。低柵電荷(Qg)特性確保更快的切換速度，在需要寬範圍輸入電壓的應用領域，實現更大的配置靈活性。
上述特性讓標準、准諧振電路、主動鉗位元設計等各種反激式轉換器具有高效和可靠性，涵蓋範圍低至35W，高至230W的額定功率範圍或最高。此外，低輸入輸出電容Ciss、Coss可實現零電壓切換，使半橋LLC諧振轉換器的電能損耗最小化。
新元件的高安全係數和優異的動態特性讓設計人員能夠提高各種產品的性能，例如，伺服器電源、三相交換式電源(Switched-Mode Power Supplies, SMPS)、LED照明電源、電動汽車(Electric-Vehicle, EV)充電器、太陽能板、焊接機、工業設備驅動系統和工廠自動化。