凌力爾特(Linear)日前推出IEEE 802.3bt受電裝置(PD)介面控制器LT4295，該元件適用於要求接受高達71W功率的應用。下一代乙太網路供電(PoE)標準IEEE 802.3bt使製造商能夠超越2009 IEEE 802.3at標準分配的25.5W功率，凌力爾特並預備率先提供符合下一代IEEE標準的產品。新標準又稱為PoE++或4PPoE，可提高功率預算以符合新型應用和功能，同時支援10Gbit/s乙太網路(10GBASE-T)，並保持與較舊版本IEEE裝置的向後相容性。LT4295符合IEEE 802.3bt(草案2.0)要求並支援新功能，包括所有新增加的PD class(5、6、7和8)、新增加的PD Type(Type 3及Type 4)以及5-event分級。
凌力爾特(Linear)日前推出IEEE 802.3bt受電裝置(PD)介面控制器LT4295，該元件適用於要求接受高達71W功率的應用。下一代乙太網路供電(PoE)標準IEEE 802.3bt使製造商能夠超越2009 IEEE 802.3at標準分配的25.5W功率，凌力爾特並預備率先提供符合下一代IEEE標準的產品。新標準又稱為PoE++或4PPoE，可提高功率預算以符合新型應用和功能，同時支援10Gbit/s乙太網路(10GBASE-T)，並保持與較舊版本IEEE裝置的向後相容性。LT4295符合IEEE 802.3bt(草案2.0)要求並支援新功能，包括所有新增加的PD class(5、6、7和8)、新增加的PD Type(Type 3及Type 4)以及5-event分級。
LT4295為單特徵802.3bt PD控制器，內建隔離式開關穩壓器控制器，具備輔助電源支援，能夠在採用高效率順向拓撲和無光耦合反馳式拓撲時同步運作。由於具備高整合度，因此可減少所需元件和電路板空間，而能簡化前端PD設計，使LT4295僅憑自身IC就能夠高效率地為PD負載供電。與內建功率MOSFET之傳統PD控制器不同的是，LT4295透過控制外部MOSFET以大幅降低PD所產生的總熱量，並可達到最高的電源效率，由於802.3bt的功率水準更高，因而此點更重要。外部MOSFET架構使用戶能夠按照需求選擇MOSFET尺寸，基於LT4295的標準實現方案一般選用30mΩ RDS(ON) MOSFET。
凌力爾特網址:www.linear.com