Cambridge GaN Devices(CGD)是一家無晶圓廠無塵技術半導體公司，開發一系列節能的GaN型功率裝置，目標是實現更環保的電子裝置；CGD近日宣布推出第二代的ICeGaN 650V氮化鎵HEMT系列產品，提供耐用性、易於使用及最高效率等特色。
H2系列ICeGaN HEMT採用CGD的智慧閘極介面，幾乎消除一般E模式GaN的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升dV/dt抑制和ESD保護效果。新型650V H2 ICeGaN電晶體與前代裝置相同，是以類似矽MOSFET的方式驅動，無須使用效率不彰的複雜電路，而是採用市面上供應的工業閘極驅動器。最後，H2 ICeGaN HEMT的QG比矽製零件低10倍，QOSS則低5倍，因此H2 ICeGaN HEMT能夠在高切換頻率情況下大幅減少切換損耗，有助於縮減尺寸及重量。這實現了領先同類產品的效率及效能，在SMPS應用中比業界最佳的矽MOSFET整整高出2%。
CGD執行長暨共同創辦人GIORGIA LONGOBARD表示，CGD已透過H2系列ICeGaN建立創新領導定位。維吉尼亞理工大學(Virginia Tech)所做的獨立研究已經證實ICeGaN是業界最穩定耐用的GaN裝置；至於在易用程度方面，則可像標準矽MOSFET一樣驅動，因此消除了會減緩市場接受速度的學習曲線問題。GaN的效率已經廣為人知，而ICeGaN在滿載範圍內表現都相當出色。
ICeGaN H2系列採用創新的NL3(無載及輕載)電路，與GaN開關一同於晶片內建整合，提供創紀錄的低功率損耗。先進的箝位結構搭配整合式米勒箝位(Miller Clamp)電路(同樣內建於晶片)，無須使用負閘極電壓，因此可實現真正的零電壓關斷，並提升動態RDS(ON)效能。這類E模式(通常為關閉)單晶片GaN HEMT包含單體整合介面及保護電路，提供無可比擬的閘極可靠度及設計簡易度。最後電流感測功能可減少功率耗散，並可直接與接地連接，實現最佳的冷卻及EMI。