格羅方德與ARM展開20奈米/FinFET製程合作

2012-08-15
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)與安謀國際(ARM)日前簽訂一份為期多年的合約,將共同推出採用格羅方德20奈米製程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM處理器,並攜手設計最佳化的系統單晶片(SoC)解決方案。
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)與安謀國際(ARM)日前簽訂一份為期多年的合約,將共同推出採用格羅方德20奈米製程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM處理器,並攜手設計最佳化的系統單晶片(SoC)解決方案。

根據協議,ARM將開發完整的Artisan實體矽智財(IP)平台,包含標準晶胞、記憶體編譯器和封裝堆疊(POP)IP解決方案等。這項合作的結果,有助ARM在智慧型手機、平板裝置及超薄筆電等各種行動應用中,將其系統效能和電源效率提升至新境界。

格羅方德全球行銷暨業務執行副總裁Mike Noonen表示,ARM 技術已整合至全球許多產量最高的產品中,對格羅方德客戶而言,在今後數年內的重要性只會不斷提高。藉由格羅方德的實作知識,結合新一代低功耗ARM處理器和繪圖處理器(GPU)核心,將可為雙方共同客戶帶來更多競爭優勢。

ARM執行副總裁暨處理器部門與實體IP部門總經理Simon Segars補充,雙方將加速推出新世代20奈米LPM與FinFET製程技術,確保共同客戶能獲得多種實作選項,將先進半導體裝置的發展往前推進兩個世代。

兩家公司在ARM Cortex-A系列處理器的最佳化方面已合作數年,包含28奈米方案,以及現正於格羅方德紐約Malta晶圓廠實作的20奈米測試晶片。新合約將延續既有成果,進一步推動IP平台生產,有助客戶迅速轉移至三維(3D)FinFET電晶體技術,並縮短SoC上市時間。

格羅方德網址:www.globalfoundries.com

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