英飛凌攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和氮化鎵驅動IC EiceDRIVER，亮相於2018年德國慕尼黑電子展。其具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕盈的設計，從而降低系統總成本和營運成本，減少資本支出。
英飛凌攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和氮化鎵驅動IC EiceDRIVER，亮相於2018年德國慕尼黑電子展。其具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕盈的設計，從而降低系統總成本和營運成本，減少資本支出。
新款 CoolGaN 600 V 增強型 HEMT 採用可靠的常閉概念，已優化實現快速開通和關斷。它們可在開關式電源（SMPS）中實現高能源效率和高功率密度，其優值係數（FOM）在目前市面上所有 600 V 元件中首屈一指。CoolGaN開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，進而大幅提高工作頻率，從而透過縮小被動元件的總體尺寸，提高功率密度。
英飛凌 CoolGaN 600 V 增強型HEMT在功率因數校正器（PFC）裡具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。
此外，英飛凌新推出的氮化鎵EiceDRIVER驅動IC – 1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H — 是專為確保CoolGaN開關實現強固且高效的運作所設計，同時最大限度地減少工程師研發工作量，加快產品上市時程。
不同於傳統功率MOSFET的柵極驅動IC，專為英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受雜訊影響導致誤導通，即便是首脈衝，這對於SMPS實現強固運作至關重要。