5G ROHM MOSFET AI IOT

ROHM耐壓IC提昇5G基地台/FA裝置可靠性

2021-08-06
半導體製造商ROHM針對處理大功率的5G基地台和PLC、逆變器等FA裝置,研發出二款具高耐壓和大電流、內建MOSFET的降壓型DC/DC轉換IC「BD9G500EFJ-LA」和「BD9F500QUZ」。

近年來,如5G基地台和FA裝置等工控裝置中,配備更多融合AI和IoT技術的新功能。因此也對電源IC出現小型高效、高耐壓等需求,確保即使受到雷擊等引起的Burst性突波電壓也不會造成損壞,並且希望能夠支援大電流。

ROHM透過電源系統製程和垂直整合生產體制,為工控裝置市場研發出多款電源IC產品,這些產品不僅性能出色,還確保可靠性和長期穩定供貨。本次ROHM再次針對工控裝置領域,研發兼具高耐壓和大電流的DC/DC轉換IC。

本次新產品是非隔離型DC/DC轉換IC,利用ROHM擅長的類比設計技術研發而成,採用電源系統的BiCDMOS高耐壓製程,可提供各類先進工控裝置所需的電源功能。

「BD9G500EFJ-LA」適用於48V電源系統,不但具有80V耐壓,更具內建MOSFET的同類型產品中,高達5A的輸出電流,因此也支援大功率,有助5G基地台和充電樁等裝置提升可靠性和性能。而「BD9F500QUZ」則適用於24V電源系統,採用小型封裝(3.0mm×3.0mm×0.4mm),具備39V耐壓和5A輸出電流,有助FA裝置實現高性能和小型化。該兩款新產品採用電源系統中的BiCDMOS高耐壓製程,並以類比設計技術研發而成,是內建MOSFET的非隔離型DC/DC轉換IC。

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