飛思卡爾為ISM應用立下RF功率效能的新標竿

2006-06-16
飛思卡爾(Freescale)表示要以新開發的高電壓射頻(RF)功率技術,以及最先進且符合成本效益的超模壓塑膠封裝技術,來拓展工業、科學及醫療(Industrial, Scientific And Medical, ISM)的市場。  
飛思卡爾(Freescale)表示要以新開發的高電壓射頻(RF)功率技術,以及最先進且符合成本效益的超模壓塑膠封裝技術,來拓展工業、科學及醫療(Industrial, Scientific And Medical, ISM)的市場。  

 

此次版圖擴張肇始於50伏特的第六代超高電壓射頻橫向擴散金屬氧化半導體(VHV6 RF LDMOS, LDMOS)技術的研發,此項技術係以飛思卡爾旗下廣受好評的28伏特LDMOS技術改良而成的50伏特版本。將LDMOS技術的供電壓提升至50伏特,使設計師能夠取得更高的功率、其性能也超過現今市面上任何ISM產品。此外,超模壓塑膠封裝元件的出現,提供最符合成本效益的ISM解決方案。  

 

飛思卡爾最頂級的ISM產品是MRF6V2300NB,這是一款300瓦、使用50伏特LDMOS的電晶體,其操作頻率可達450MHz,並且以TO-272-WB-4超模壓塑膠方式封裝。該元件的增益比高達27dB、效率達68%。這麼好的效能足以讓ISM系統設計者省下任何增益層級,因而降低整體系統成本、並簡化電路板面積。除了一流的性能之外,該元件的穩定性也首屈一指:其強固容忍度達10:1的VSWR。  

 

飛思卡爾正朝兩種截然不同的ISM頻率市場進攻,一為HF/VHF的市場、另一為2.45GHz ISM頻帶的市場。對於位在10M~450MHz之間的HF/VHF頻帶,飛思卡爾提供三款使用VHV6 50V LDMOS技術的電晶體。這三款產品包括MRF6V2300NB以及MRF6V2150NB(150瓦、69%的效應比以及25dB的增益值)與 MRF6V2010NB(10瓦、68%的效應比以及25dB的增益值)。至於2.45GHz的ISM頻帶方面,飛思卡爾則提供另外三款使用28Z伏特 LDMOS技術的元件:MRF6P24190H(190瓦、46%的效應比以及13dB的增益值)、MRF6S24190H(140瓦、46%的效應比以及13dB的增益值)以及MW6IC2420NB(兩段式20瓦、21%的效應比以及21dB的增益值)。  

 

以上六種ISM元件均已有樣品上市。此外,三種2.45GHz的元件亦已量產。MRF6V2150NB預計於2006年8月全面量產,MRF6V2300NB與MRF6V2010NB也預計於2006年第四季量產。  

 

飛思卡爾網址:www.freescale.com  

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