意法半導體(ST)推出兩款採用主流架構且內建1200V碳化矽(SiC)MOSFET的STPOWER電源模組。兩款模組皆採用ST的ACEPACK 2封裝技術，功率密度高且組裝簡易。
第一款模組A2F12M12W2-F1為一個全橋架構(Four-pack)四組模組，可為DC/DC轉換器等電路提供方便之高功率密度配置的全橋功率變換解決方案。第二款A2U12M12W2-F2模組則採用三電平T型逆變拓撲，兼具導通效能和開關效能，提供穩定的輸出電壓品質。
這些模組中的MOSFET皆採用ST第二代SiC技術，其Rds(on) x晶片面積品質因數表現傲人，能確保開關能處理大電流的能力，並將功率損耗降至最低。每款晶片的典型導通電阻Rds(on)為13mΩ，因此，全橋拓撲和T型拓撲均適用於高功率設計應用，因為有極低的功率損耗，讓簡單散熱管理設計的模組具備優秀的能源效率。
ACEPACK 2封裝的配置緊密且功率密度高，其採用高效氧化鋁基板和直接覆銅(Direct Bonded Copper, DBC)晶片貼裝技術。外部連接採用壓接引腳，方便於潛在的嚴峻環境中組裝，例如，電動車及充電樁、儲能和太陽能的功率轉換。該封裝的絕緣耐壓為2.5kVrms，內建一個NTC溫度感測器，可用於系統保護診斷功能。
A2F12M12W2-F1全橋架構四組配置和A2U12M12W2-F2三電平T型逆變器模組現已量產。