Freewheeling Diode Zero Oscillation 太陽能發電

ST發表新款1200V IGBT

2016-01-07
意法半導體(ST)推出S系列1200V絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)。當開關頻率達到8kHz時,新系列的雙極元件擁有業界最低的導通及關斷耗損,大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。
意法半導體(ST)推出S系列1200V絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)。當開關頻率達到8kHz時,新系列的雙極元件擁有業界最低的導通及關斷耗損,大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。

新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat)),可確保更低的電壓降與最小的功率耗損,從而簡化熱管理系統。此外,正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布,不僅大幅簡化了多個電晶體的平行設計,亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過衝及關機零振盪現象(Zero Oscillation),讓電源廠商能夠使用更簡易的外部電路及更少的外部元件。

最新發布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,採用標準針腳或TO-247加長針腳封裝。全系列產品均內建最新款的穩流二極體(Freewheeling Diode),其擁有快速恢復與高恢復軟度,確保IGBT具有超低電磁干擾,和導通耗損。

意法半導體網址:www.st.com

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