英飛凌(Infineon) Infineon MOSFET 低頻應用 TCO

英飛凌新600V超接面MOSFET適合低頻應用

2020-03-16
英飛凌科技(Infineon)成功開發滿足高效率和品質要求的解決方案,針對 MOSFET低頻應用新推出 600 V CoolMOS S7系列產品,帶來領先的功率密度和能源效率。CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改善以及高脈衝電流能力,並且具備最高品質標準。該元件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變級、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外,10 mΩ CoolMOS S7 MOSFET是業界RDS(on)較小的元件。

該產品系列專為低頻開關應用而開發,旨在降低它們的導通損耗,確保最快速的回應和最高的效率。CoolMOS S7裝置實現了比 CoolMOS 7產品更低的RDS(on)x A,因而能夠成功抵銷開關損耗,實現更低的導通電阻和成本。對於高壓開關而言,CoolMOS S7 產品擁有較低的導通電阻(RDS(on))。此外,10mΩ晶片採用創新的頂面冷卻QDPAK封裝,22mΩ晶片採用先進的小型TO無引腳(TOLL)SMD封裝。這些MOSFET可助力實現經濟、簡化、精巧、模組化和高效的設計。設計出來的系統可以輕鬆滿足規範要求和能效認證標準(如適用於SMPS的Titanium 標準),也能滿足功率預算,減少零件數量和散熱墊需求,同時降低整體擁有成本(TCO)。

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