SST/格羅方德55nm嵌入式快閃記憶體獲認證

2015-05-28
微芯科技(Microchip Technology)通過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)共同宣布,基於GLOBALFOUNDRIES 55奈米(nm)低功耗強化型(LPx)/射頻(RF)平台的SST 55nm嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體(NVM)產品已通過全面認證並開始投放市場。GLOBALFOUNDRIES結合分離閘極單元設計的55nm SuperFlash技術的製程認證測試採用聯合電子裝置工程協會(JEDEC)標準。同時,這一製程技術也符合AEC-Q100 1級認證標準,環境溫度範圍為-40~125°C,耐用度達到100K燒寫/抹除次數,在150°C條件下可實現超過20年的資料保存年限。
微芯科技(Microchip Technology)通過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)共同宣布,基於GLOBALFOUNDRIES 55奈米(nm)低功耗強化型(LPx)/射頻(RF)平台的SST 55nm嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體(NVM)產品已通過全面認證並開始投放市場。GLOBALFOUNDRIES結合分離閘極單元設計的55nm SuperFlash技術的製程認證測試採用聯合電子裝置工程協會(JEDEC)標準。同時,這一製程技術也符合AEC-Q100 1級認證標準,環境溫度範圍為-40~125°C,耐用度達到100K燒寫/抹除次數,在150°C條件下可實現超過20年的資料保存年限。

Microchip全資的子公司SST技術授權部副總裁Mark Reiten表示,嵌入式SuperFlash存儲事實上已成為各代工廠生產微控制器、智慧卡及各種系統級晶片的標準。與GLOBALFOUNDRIES的合作為該公司搭建先進的55nm嵌入式SuperFlash平台帶來巨大的技術優勢,與各行業多個客戶的業務洽談也已經在進行當中。

GLOBALFOUNDRIES產品管理高級副總裁Gregg Bartlett表示,該公司發現市場需要一款低成本的嵌入式快閃記憶體平台產品來實現安全的ID、混合信號、NFC/RF及新一代物聯網(IoT)應用。得益於公司與SST的深度合作,這項基於GLOBALFOUNDRIES高良率的55nm低功耗製程技術平台而實現的55nm SuperFlash技術將有助為各重要行業的客戶提供高性能的解決方案。

微芯科技網址:www.microchip.com

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