羅姆(ROHM)決定在日本福岡縣的筑後工廠增建新廠房，以因應日漸升高的SiC功率元件生產需求。該新廠房為地上3層建築，總建築面積約11,000㎡。目前正在進行相關細部設計，預計於2019年動工，並於2020年竣工完成。
羅姆(ROHM)決定在日本福岡縣的筑後工廠增建新廠房，以因應日漸升高的SiC功率元件生產需求。該新廠房為地上3層建築，總建築面積約11,000㎡。目前正在進行相關細部設計，預計於2019年動工，並於2020年竣工完成。
ROHM自2010年開始量產SiC功率元件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，進行各項新技術開發，是全球第一家進行全SiC功率模組和溝槽結構SiC-MOSFET量產的半導體公司。在製造方面，ROHM集團也建構了垂直整合生產體制，致力於強化晶圓大口徑製程，並積極導入最新設備來提高生產效率。
目前世界都再呼籲節能，業界對於可有效提升能源效率的SiC功率元件有著期待，ROHM集團將持續掌握市場需求，增加生產能力的同時，嚴格貫徹多點生產體制、庫存管理、設備防災等措施，致力於穩定供貨以滿足客戶所需。