Fairchild推出擴展溫度(Extended Temperature, ET)中電壓MOSFET，作業溫度175°C，製造商借此可改進其產品的可靠性與性能。較高的作業溫度可將功率密度提高85%，可靠性更是超出行業標準MOSFET(額定150°C)三倍之多。
Fairchild推出擴展溫度(Extended Temperature, ET)中電壓MOSFET，作業溫度175°C，製造商借此可改進其產品的可靠性與性能。較高的作業溫度可將功率密度提高85%，可靠性更是超出行業標準MOSFET(額定150°C)三倍之多。
Fairchild iFET產品線副總裁Suman Narayan指出，做為Fairchild ET MOSFET綜合產品線的最新產品，此系列為設計工程師提供更多的餘量，使他們能設計可以面對高溫的產品，而毋須依賴散熱器或其他會增加產品成本和複雜性的散熱方法。 這些新裝置繼續延續Fairchild傳統為設計工程師提供比競爭產品具有更多設計餘量的解決方案。
這些新ET MOSFET能夠在175°C作業，尤其適用於必須在高環境溫度下作業的產品，如太陽能與乙太網路供電(POE)應用。此外，這些裝置也大幅提高可靠性，對在惡劣環境下使用的產品來說也是一個優勢，包括航空電子裝置、鐵路與電動工具等應用。
Fairchild網址：www.fairchildsemi.com