意法半導體 STMicroelectronics ST

意法半導體發布全新無線產品射頻前端技術平台

2013-06-28
意法半導體(ST)發布全新、最佳化先進製程射頻前端平台。無線裝置RF前端電路通常採用獨立的放大器、開關和調諧器。隨著4G行動通訊和無線區域網路(Wi-Fi)等新高速標準開始使用多頻技術提高數據吞吐量,最新的行動裝置需要增加前端電路。現有的3G手機可支援五個頻段,而下一代4G LTE標準3GPP可支援高達四十個頻段。傳統的離散元件會大幅增加裝置尺寸,而意法半導體的新製程H9SOI_FEM可製造並整合全部前端功能模組。
意法半導體(ST)發布全新、最佳化先進製程射頻前端平台。無線裝置RF前端電路通常採用獨立的放大器、開關和調諧器。隨著4G行動通訊和無線區域網路(Wi-Fi)等新高速標準開始使用多頻技術提高數據吞吐量,最新的行動裝置需要增加前端電路。現有的3G手機可支援五個頻段,而下一代4G LTE標準3GPP可支援高達四十個頻段。傳統的離散元件會大幅增加裝置尺寸,而意法半導體的新製程H9SOI_FEM可製造並整合全部前端功能模組。

意法半導體混合訊號製程產品部總經理Flavio Benetti表示,H9SOI_FEM專用製程讓客戶能夠研發最先進的尺寸,相當於目前前端解決方案的二分之一或更小的前端模組,此外,意法半導體還開發出一個簡化的供貨流程,可大幅縮短供貨週期,提高供貨靈活性,這對市場上終端用戶至關重要。

這項製程是H9SOI矽絕緣層金氧半電晶體元件製程的進化。意法半導體於2008年成功研發了這一具突破性的H9SOI技術,隨後客戶運用這項技術研發了4億多顆手機和Wi-Fi RF開關。憑藉在這一領域的研發經驗,為研發整合前端模組,意法半導體最佳化了H9SOI製程,推出了H9SOI_FEM,為天線開關和天線調諧器提供業界最佳的品質因數。目前意法半導體正與客戶合作使用H9SOI_FEM開發新設計。預計今2013年年底投入量產。

意法半導體網址:www.st.com

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