瑞薩日前針對5G波束成形器IC系列，推出兩款2×2天線架構優化的雙極化毫米波元件，可用於5G和寬頻無線網路應用，在n257、n258和261頻段具有較佳的性能。高度整合的F5288和F5268發射器/接收器(8T8R)晶片組，採用小型5.1mm×5.1mm BGA封裝，每個通道提供超過15.5dBm的線性輸出功率。瑞薩透過這樣的組合實現具成本效益的無線電設計，並延伸無線基礎設施應用的訊號覆蓋範圍，包括廣域、小型基地台和大型基地台，以及CPE、固定無線存取(FWA)接入點和各種其他應用。
新款F5288和F5268 IC採用獨特的動態陣列功率(Dynamic Array Power; DAP)技術，在線性可程式調整輸出功率(10至16dBm)範圍內皆可高效運作，因此第三代IC適合具有廣泛輸出功率要求的移動和固定無線應用。這種靈活性使通訊系統客戶能夠重新利用不同應用中的天線陣列設計來縮短設計時間。
關於F5288和F5268 5G毫米波波束成形IC
瑞薩第三代毫米波波束成形器IC可滿足5G系統所需的所有波束成形功能，同時以高效率實現矽基技術中較高的線性射頻輸出功率。
這些IC的雙極化8通道架構，提供高對稱且低損耗的天線路由網路，以提升整體天線效率並降低電路板成本。裸晶的晶片封裝可透過IC背面進行散熱，以提供更有效的熱管理。此外，瑞薩特別設計的腳位配置，可簡化電路板設計並降低設計風險。使用最少層數的PCB來降低設計的複雜度，進一步減少電路板成本並加快上市時間。
F5288和F5268 IC亦採用瑞薩多項技術，以增強陣列級性能。Dynamic Array Power技術可高效率調整輸出功率。具有全面的晶片內感測器網路的ArraySense技術，允許使用者監控操作中的IC性能並提供即時關鍵校正。RapidBeam先進的數位控制技術可同時同步和非同步控制多個波束形成器IC，以實現較快的波束轉向控制操作。
為了進一步簡化系統設計，客戶可利用瑞薩的新款基站天線前端成功產品組合，該組合採用新款F5288和F5268波束成形器IC、F5728升/降頻轉換器、8V97003寬頻毫米波合成器，以及各種瑞薩PMIC元件。瑞薩提供超過250種可相互搭配的類比、電源、時脈元件和嵌入式處理器的成功產品組合，以提供易於使用的架構，簡化設計流程，可明顯降低客戶在各種應用中的設計風險。