Molex宣布其子公司Polymicro Technologies成功地開發一款使用低氫氧基(Low-OH)純矽土內芯的大光譜光纖，該光纖具有顯著減少的紫外線(UV)缺陷和其它UV吸收中心點含量。Polymicro的專有FBPI光纖利用標準光纖的優勢並減少其限制。以矽土為基礎的寬頻FBPI光纖在明顯增大的光譜範圍具有改進的傳輸特性，提供一系列密度選擇，能夠製造50-600微米(μm)內芯直徑光纖。
Molex宣布其子公司Polymicro Technologies成功地開發一款使用低氫氧基(Low-OH)純矽土內芯的大光譜光纖，該光纖具有顯著減少的紫外線(UV)缺陷和其它UV吸收中心點含量。Polymicro的專有FBPI光纖利用標準光纖的優勢並減少其限制。以矽土為基礎的寬頻FBPI光纖在明顯增大的光譜範圍具有改進的傳輸特性，提供一系列密度選擇，能夠製造50-600微米(μm)內芯直徑光纖。
Polymicro Technologies業務發展經理Robert Dauphinais表示，本次新推出的大光譜FBPI光纖經過最佳化，可用於全景光譜儀和感測器分析。FBFI光纖提供出色的性能，並結合耐輻射和耐曝曬性能，防止輻射和曝曬導致光纖性能退化和縮短產品壽命。
在超過2100奈米(nm)的近紅外線(NIR)波長區域，Polymicro FBPI光纖的衰減等同於具有低氫氧基矽土內芯和加氟表層的標準NIR光纖，其抗曝曬性能可媲美具有高耐輻射性的標準UV優化高氫氧基光纖，並且具有低至200奈米的UV傳輸性能。
Molex網址：www.molex.com