瑞薩 MCU ARM Cortex 快閃記憶體 SRAM

瑞薩新增48款入門級RA2E1 MCU 具有128 KB快閃記憶體16 KB SRAM

2021-02-19
48個新的RA2E1 MCU,基於32位元Arm Cortex-M23核心,並包含多種記憶體、工作電壓和包裝選項。

瑞薩電子近日宣布,其32位元RA2系列微控制器(MCU)新增了48款RA2E1 MCU。RA2E1 MCU基於48 MHz Arm Cortex-M23核心,是入門級單晶片,具有高達128 KB的快閃記憶體和16 KB的SRAM。

RA2E1 MCU支援1.6V至5.5V的寬工作電壓範圍,並有多種封裝,例如LQFP、QFN、LGA、BGA,和晶圓級晶片封裝(WLCSP)。這些功能使RA2E1成為成本敏感或空間受限的應用,高性能和低能耗系統的選擇。

瑞薩物聯網和基礎設施業務部高級副總裁Roger Wendelken表示,RA2E1是RA系列的重要延伸。適用於任何設計人員,為消費性產品、電器和工業設備等應用提供廣泛的功能和選項。此外,它也是RA2系列的入門級產品,透過硬體和軟體的可擴展性無縫升級到更高階的RA系列裝置。

RA2E1 MCU升級後的低功耗功能涵蓋了所有周邊、快閃記憶體和SRAM。此功能在可操作溫度和電壓範圍內實現最低功耗。透過多種低功耗模式,使系統設計的靈活性最大化。當以功耗為基準進行測試時,RA2E1 MCU在1.8V電壓下的EEMBC ULPMark得分為321,證明其在同類型產品中為最佳的額定功率。使用者可將運作時的功耗降至接近待機時,以延長電池壽命。

RA2E1 MCU的主要功能包含:48 MHz Arm Cortex-M23 CPU核心;整合快閃記憶體從32 KB到128 KB、和16 KB RAM; 支援廣泛的工作電壓範圍1.6V-5.5V;接腳數從25到64-pin;包裝選項包括LQFP、QFN、LGA、BGA和WLCSP(2.14 x 2.27mm);低功耗工作,運作模式下為100 µA/MHz;軟體待機時為250 nA; 整合下一代創新型電容式觸控感測單元,無需外部組件,降低整體BOM成本;利用晶片上周邊功能降低系統成本,這些功能包括高精度(1.0%)內部振盪器、支援100萬次抹除/寫入週期的背景操作資料快閃記憶體、大電流I/O和溫度感測器;與RA2L1裝置的接腳和周邊相容性。

RA2E1 MCU還提供IEC60730自我檢測函數庫,具有整合的安全功能,可確認運作正常,客戶可輕鬆使用這些安全功能執行MCU自我診斷。此外,RA2E1裝置包括AES密碼加速器、真隨機數產生器(TRNG)和記憶體保護單元,為開發安全的IoT系統提供基本功能。

易於使用的彈性套裝軟體(FSP)支援RA2E1,該套裝軟體包含最佳的HAL驅動程式。FSP使用GUI簡化並加快開發過程,同時亦使客戶可輕鬆地轉換原本8/16位元MCU設計。使用RA2E1 MCU的設計人員也可運用廣泛的Arm合作夥伴生態系統,取得各種有助於加快產品上市的工具。

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