意法半導體(ST)針對汽車市場推出了新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，採用意法半導體最先進、內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程，崩潰電壓範圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。
意法半導體(ST)針對汽車市場推出了新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，採用意法半導體最先進、內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程，崩潰電壓範圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。
400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首獲AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產品性能則高於現有競品。全系列產品專為汽車應用所設計，內部整合高速本體二極體(Fast Body Diode)、恢復軟度係數更高的換向行為(Commutation Behaviour)和背對背閘極源極齊納(Gate-source Zener)二極體保護功能，是全橋零電壓開關拓撲的理想選擇。
意法半導體的新功率MOSFET是汽車市場上反向恢復時間(Trr)／反向恢復電荷(Qrr)比和恢復軟度系數表現最好的功率MOSFET，同時也擁有最出色的高電流關機能源(Eoff)，有助於提升汽車電源能效。此外，內部高速本體二極體的性能表現亦十分出色，有助於降低EMI電磁干擾，讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波元件。MDmesh DM2技術透過這種方式讓電源設計變得更環保、能耗更低，從而使能效最大化、終端產品的尺寸最小化。
意法半導體網址:www.st.com