Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，推出其SuperFET III 650V N通道MOSFET 系列，這是公司推出的新一代MOSFET，能夠滿足最新的電信、伺服器、電動汽車(EV)充電器及光伏產品對於更高功率密度、系統效率及出色的可靠性方面的要求。
Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，推出其SuperFET III 650V N通道MOSFET 系列，這是公司推出的新一代MOSFET，能夠滿足最新的電信、伺服器、電動汽車(EV)充電器及光伏產品對於更高功率密度、系統效率及出色的可靠性方面的要求。
Fairchild大功率工業應用事業部副總裁兼總經理趙進表示，無論產業為何，該公司的客戶都在不斷尋求以動態方式增強每一代新產品的效率、效能及可靠性，同時致力於加速新產品的上市。在設計全新SuperFET III MOSFET時，除了可幫助客戶滿足其關鍵產品目標，該公司還將確保元件可降低物料成本，縮減電路板空間以及簡化產品設計。
在任何驅動簡易的超接面MOSFET中，SuperFET III技術均可實現最低Rdson，同時提供同類最佳效率。該產品能夠實現這一優勢是因為它採用了先進的電荷平衡技術，相較其SuperFET II前代產品，在封裝尺寸相同的情況下，Rdson可降低44%。
SuperFET III系列具有卓越的耐用性及可靠性，其中的關鍵因素在於其同類最佳的體二極體以及優於其最相近競爭產品三倍的單脈衝崩潰能量(EAS)效能。
Fairchild網址:www.fairchild.com