東芝(Toshiba)日前推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)—XK1R9F10QB，其適用於汽車的48V設備應用，例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。
這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品，採用該公司的最新一代製程。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝，提供低導通電阻，最大導通電阻為1.92mΩ，與目前的TK160F10N1L相比降低約20%，這有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化，還提供更低的開關雜訊，進而減少設備的EMI。此外，將閾值電壓寬縮小至1V，可以增強並聯時的開關同步性。
其主要特性包括採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET，同時具低導通電阻，於
VGS=10V時，RDS(ON)=1.92mΩ(最大值)；此外，亦符合AEC-Q101要求。
而該產品應用領域包含汽車設備(負載開關、開關電源和馬達驅動等)