意法半導體(ST)在世界行動通訊大會(MWC)上展示28奈米(nm) 完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術，這項具突破性的技術不僅速度比相同技術節點的傳統互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程更快，且應用設計更簡單，可提高消費性電子產品的執行速度及順暢度。
意法半導體(ST)在世界行動通訊大會(MWC)上展示28奈米(nm) 完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術，這項具突破性的技術不僅速度比相同技術節點的傳統互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程更快，且應用設計更簡單，可提高消費性電子產品的執行速度及順暢度。
意法半導體本次於MWC展出測、安全性、分享互動、能源管理與進階音效體驗等行動產業五大主題；該公司藉由採用28奈米FD-SOI技術的元件可強化上述五大應用的使用經驗，並將持續專注在此一市場，進一步加強與主要無線通訊廠商已建立的深厚客戶關係。
根據市場研究機構HIS iSuppli的調查顯示，感測器、影像與光電、微控制器(MCU)、標準邏輯IC與顯示驅動器和離散元件等市場成長力道持續強勁，預計未來4年的年複合成長率將達17%，成長幅度比手機和平板電腦的其它晶片市場高出近40% 。意法半導體28奈米FD-SOI研發成果進一步加強該公司在可攜式電子領域的市場競爭力。
意法半導體網址：www.st.com