意法MDmesh MOSFET內建快速恢復二極體

此系列為超接面MOSFET電晶體技術，新產品額定電壓範圍涵蓋950V至1050V，開關性能、導通電阻(RDS(ON))和矽單位面積流過的額定電流等技術參數均優於平面結構的普通MOSFET電晶體。在大功率設備用的功率轉換器，例如，高匯流排電壓的電信伺服器或資料中心伺服器、工業電焊機、等離子發電機、高頻率感應式加熱器和X射線器內，意法半導體的新產品讓設計人員能夠提升應用效能，減少並聯元件數量，進而提升功率密度。 

內建快速恢復體二極體讓新產品能夠增加零電壓切換LLC諧振轉換器的表現，滿足應用對寬廣的輸入電壓和高效之要求。其他類型的橋式轉換器以及電池充電升壓DC/DC轉換器也將受益於新產品的低損耗和提升動態性能。相較市面上現有之內建快速恢復二極體的特高壓MOSFET，意法半導體DK5產品兼具最短的反向恢復時間(Reverse-recovery Time，trr)、最低的MOSFET柵電荷量(Qg)和導通電阻RDS(ON)，以及超接面技術產品中優異的輸出輸入電容(Coss, Ciss)。 

DK5系列產品擴大了意法半導體的特高壓超電晶體產品組合，其涵蓋800V至1500V電壓範圍，並新增六款TO-247、TO-247長針腳、Max247和ISOTOP功率封裝產品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5現已開始量產。