軟切換拓撲 逆回復電荷 SMPS 諧振拓樸

英飛凌推出新款600V SJ MOSFET

2017-12-11
英飛凌科技(Infineon)近日發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET技術產品600V CoolMOS CFD7,讓CoolMOS 7系列更為完備。新款MOSFET產品滿足高功率SMPS市場的諧振拓樸需求,為LLC和ZVS PSFB等軟切換拓撲提供高效率與可靠度,最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率SMPS應用。
英飛凌科技(Infineon)近日發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET技術產品600V CoolMOS CFD7,讓CoolMOS 7系列更為完備。新款MOSFET產品滿足高功率SMPS市場的諧振拓樸需求,為LLC和ZVS PSFB等軟切換拓撲提供高效率與可靠度,最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率SMPS應用。

600V CoolMOS CFD7為CoolMOS CFD2的接續產品。新MOSFET產品效率較前一代產品高出1.45%,結合了快速切換技術所有的優點和高整流耐用度,同時保有設計流程的簡易實作性。其除了降低閘極電荷(Qg),關斷行為亦獲得改善。此外,其逆回復電荷(Qrr)比市場上其他競爭產品少了69%。600V CoolMOS CFD7提供了插件式封裝(THD)和表面接著封裝(SMD)解決方案,支持高功率密度產品的設計需求。

本站使用cookie及相關技術分析來改善使用者體驗。瞭解更多

我知道了!