瑞薩(Renesas)發表採用6毫米×6毫米小型化封裝之R2J20651NP整合驅動器金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。R2J20651NP是針對個人電腦(PC)及伺服器之中央處理器(CPU)與雙倍資料速率(DDR)類型SDRAM電源供應所設計，並可達到最高96.5%供電效率。R2J20651NP符合英特爾(Intel)所制訂之「Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)」Revision 3.0規格，R2J20651NP在單一封裝中整合兩個High-side/Low-side MOSFET及一個驅動器IC。
瑞薩(Renesas)發表採用6毫米×6毫米小型化封裝之R2J20651NP整合驅動器金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。R2J20651NP是針對個人電腦(PC)及伺服器之中央處理器(CPU)與雙倍資料速率(DDR)類型SDRAM電源供應所設計，並可達到最高96.5%供電效率。R2J20651NP符合英特爾(Intel)所制訂之「Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)」Revision 3.0規格，R2J20651NP在單一封裝中整合兩個High-side/Low-side MOSFET及一個驅動器IC。
在符合DrMOS標準產品中，R2J20651NP是第一個在驅動器IC中內含溫度偵測功能的產品，當驅動器IC的溫度超過130℃時，可輸出溫度過高訊號。此訊號可依據應用目的之需求來運用，例如讓系統電源供應控制IC接收此訊號，並關閉系統。另外，亦可建置更安全的電源供應系統，電源裝置自行監控其溫度與發熱量，即可偵測不正常的模式與過度負載狀態。
由於瑞薩採用高散熱、低損耗之封裝技術，以及瑞薩第十代MOSFET產品，因此可達到6毫米×6毫米的小型化40-pin QFN封裝。相較於瑞薩原有的8毫米×8毫米封裝尺寸，R2J20651NP約可將安裝面積縮小二分之一。此外，由於其最小可因應35安培的輸出電流，因此可輕易使用於高電流密度的DC-DC轉換器。
瑞薩網址：www.renesas.com