瑞薩電子(Renesas)宣布開發90奈米(nm)單電晶體MONOS快閃記憶體技術，可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS (BiCDMOS)，並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量。瑞薩預期此全新快閃記憶體電路技術，將能使快閃記憶體加入至汽車類比裝置，並具備更高的效能與可靠性。
瑞薩電子(Renesas)宣布開發90奈米(nm)單電晶體MONOS快閃記憶體技術，可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS (BiCDMOS)，並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量。瑞薩預期此全新快閃記憶體電路技術，將能使快閃記憶體加入至汽車類比裝置，並具備更高的效能與可靠性。
近年來，市場除了要求汽車提升燃油效率之外，也希望汽車能提供更寬敞的車內空間與舒適感，因此每部汽車所使用的電子控制單元(ECU)亦隨之增加。隨著汽車控制系統愈趨精密且控制功能愈趨複雜，讓ECU更輕、更具能源效率及尺寸更小已成為重要的議題。尤其散熱器、水幫浦、汽車空調系統等裝置使用許多小型馬達，因此產生了整合ECU及機電元件一體化的需求。
由於目前尚無法在不改變基本製程的情況下，將快閃記憶體加入至小型馬達裡那些控制高電壓(HV)驅動器的汽車類比與電力元件中，因此通常藉由整合eFUS技術或利用外部EEPROM晶片，因應記憶體儲存調校資料，以最佳化類比電路效能的需求。此全新開發的快閃記憶體技術可抑制額外的製程成本，同時以簡單的方式將快閃記憶體加入汽車類比與電力元件中。
瑞薩網址:www.tw.renesas.com