MOSFET 條形布局 擴散製程 開關

ST功率MOSFET提供高效電源解決方案

2015-09-21
意法半導體(ST)MDmesh M2系列的N-通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)再添新成員,新系列產品能夠為伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供業界最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果特別顯著。
意法半導體(ST)MDmesh M2系列的N-通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)再添新成員,新系列產品能夠為伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供業界最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果特別顯著。

新款600伏特(V)MDmesh M2 EP產品整合ST的條形布局(Strip Layout)和垂直結構與最佳化的擴散製程(Ddiffusion Process),擁有近乎理想的開關設計,包括非常低的導通電阻和最低的關機開關損耗,是特別為超頻功率轉換器(f>150kHz)專門設計,為要求最嚴苛的電源供應器(PSU)的理想選擇。

硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(Resonant Topologies),例如LLC諧振,新元件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的閘極電荷(Qg)極低外,M2 EP產品的關機能源(Eoff)還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關機損耗同樣降低20%。在低電流範圍內降低Eoff損耗,有助於提高低負載能效,進而協助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求。

升級後的關機波形(Turn-Off Waveforms)可提高諧振轉換器的能效、降低雜訊,每週期回收再利用更多電能,而不是以散熱的形式浪費掉。

意法半導體網址:www.st.com

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