安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術上的經過認證的新的智慧財產權(IP)。這些經過認證的新電路模塊將幫助安森美半導體的晶圓代工廠(GDS2)的接口客戶，把需要矽片重制(re-spin)的風險降至最低，因而幫助降低重新設計的開發成本，並縮短上市週期。
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術上的經過認證的新的智慧財產權(IP)。這些經過認證的新電路模塊將幫助安森美半導體的晶圓代工廠(GDS2)的接口客戶，把需要矽片重制(re-spin)的風險降至最低，因而幫助降低重新設計的開發成本，並縮短上市週期。
安森美半導體的定制晶圓代工業務部持續提供新的IP模塊；這些IP模塊通過Micro Oscillator Inc.、Senseeker Engineering Inc.及Silicon Storage Technology, Inc.等外部供應商開發的專有工藝認證。最近通過認證的10個新的IP模塊提供的功能涵蓋範圍，從小間距列並行模數轉換器(ADC)及低溫相容型低壓差分信令(LVDS)驅動器，到超低功率振盪器及極小占位面積一次性可編程 (OTP)存儲器等。這些IP模塊適用並利利於廣泛的客戶終端市場，包括軍事/航空、醫療、消費、電腦、通信及汽車等。這些經過認證的IP除了配合這些終端市場ASIC設計人員的工作，還將幫助設計公司降低成本，在為他們的終端客戶報價時提供更準確的計劃表。
安森美半導體軍事/航空、數位、定制晶圓代工、集成無源器件(IPD)及圖像感測器產品分部副總裁Vince Hopkin說：「 把我們領先的半導體工藝上的混合信號IP通過認證，是我們的一個關鍵策略，以幫助多種行業市場及終端應用的設計人員，能夠縮短他們新產品的上市週期及降低開發成本，因為使用通過認證的IP能降低大量的重新設計之需求。有時候設計人員需要重新設計，以解決開發階段未預料到的電路模塊性能問題或特性，因而可能嚴重地延遲產品的上市時間。」