德州儀器(TI)推出新型60-V N通道功率FemtoFET場效應電晶體，實現業界最低且較傳統60-V負載開關還低90%的最低電阻，終端系統功耗因此得以降低。CSD18541F5的1.53-mm×0.77-mm極小型矽基封裝尺寸較SOT-23封裝內的負載開關小80%。
德州儀器(TI)推出新型60-V N通道功率FemtoFET場效應電晶體，實現業界最低且較傳統60-V負載開關還低90%的最低電阻，終端系統功耗因此得以降低。CSD18541F5的1.53-mm×0.77-mm極小型矽基封裝尺寸較SOT-23封裝內的負載開關小80%。
CSD18541F5金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)保持典型的54-mΩ導通電阻(Rdson)，並經設計與最佳化以取代空間受限的工業負載開關應用中的標準小訊號MOSFET。這種極小型柵格陣列(LGA)封裝的焊盤間距為0.5-mm，易於安裝。
CSD18541F5拓展了TI FemtoFET MOSFETs中的NexFET技術產品組合至電壓更高且適於生產的尺寸。TI的NexFET功率MOSFET提升了高功率運算、網路、工業和電源應用中的電源效率。此類高頻、高效類比功率MOSFET使系統設計人員能夠運用當前最先進的DC/DC電源轉換解決方案。
德州儀器網址:www.ti.com.tw