瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky Barrier Diode, SBD)RJS6005TDPP，一般認為碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力。
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky Barrier Diode, SBD)RJS6005TDPP，一般認為碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力。
新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統。此新款裝置亦整合了由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可達降低約40%的低功耗表現。
近年來，為了促進環境保護，許多類型的系統對於高效能電源供應電路的需求仍持續成長。部分產品對於高效率電源轉換的需求特別高，例如空調、通訊基地台、PC伺服器及太陽能發電陣列，這些產品需利用電源切換電路或變頻器使馬達控制更加精準。因此，使用於上述電源轉換電路的二極體必須提供更快的切換速度及低電壓運作，而瑞薩電子新款RJS6005TDPP SiC SBD則可以因應上述需求。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com