VREF SRAM DDR

凌力爾特µModule穩壓器可操作於3.3VIN至15VIN

2016-04-20
凌力爾特(Linear)日前發表三組輸出µModule穩壓器LTM4632,可驅動所有新QDR4及舊式DDR SRAM:VDDQ,VTT和VTTR(或VREF)的所有三組電壓端。LTM4632採用微型、輕量的LGA封裝(6.25mm×6.25mm×1.82mm),可焊接在PCB的背面,加上一個電阻和三個電容只佔0.5cm²(雙面)或1cm²(單面)。元件提供3A VDDQ和±3A VTT(=1/2*VDDQ),而兩個並聯的LTM4632可為更大的記憶體組提供每軌高達6A。針對高於6A VDDQ之應用,LTM4632可與LTM4630配置,以為非常大陣列的SRAM提供18A和36A之間的VDDQ。如果VDDQ已可使用,LTM4632則可經由配置來提供達6A之兩相單一VTT輸出。
凌力爾特(Linear)日前發表三組輸出µModule穩壓器LTM4632,可驅動所有新QDR4及舊式DDR SRAM:VDDQ,VTT和VTTR(或VREF)的所有三組電壓端。LTM4632採用微型、輕量的LGA封裝(6.25mm×6.25mm×1.82mm),可焊接在PCB的背面,加上一個電阻和三個電容只佔0.5cm²(雙面)或1cm²(單面)。元件提供3A VDDQ和±3A VTT(=1/2*VDDQ),而兩個並聯的LTM4632可為更大的記憶體組提供每軌高達6A。針對高於6A VDDQ之應用,LTM4632可與LTM4630配置,以為非常大陣列的SRAM提供18A和36A之間的VDDQ。如果VDDQ已可使用,LTM4632則可經由配置來提供達6A之兩相單一VTT輸出。

LTM4632可從3.3V的低輸入電源及標準5V和12V輸入(高達15V)操作。兩組輸出電壓(VDDQ和VTT)任一組的範圍均為0.6V到2.5V,第三組輸出為低雜訊10mA緩衝輸出,可用於VTTR的SRAM。應用範圍包括PCIe、雲端系統、RAID、視頻處理和使用SRAM的網路:包括DDR/DDR-II/DDR-III/DDR4/QDR/QDR-II/QDR-II+和QDR4。

LTM4632 具備三組輸出DC/DC穩壓器,其由2個電路分配,同時包含電源開關、電感及支援零組件,所有均納入精小、超輕薄的封裝。LTM4632 額定操作溫度為–40℃至125℃。

凌力爾特網址:www.linear.com

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