趕搭行動裝置成長熱潮 創新行動記憶體技術問世

2009-02-25
隨著消費者對行動裝置的多媒體功能期望增加,各式終端裝置對記憶體之需求也水漲船高。尤其因為記憶體左右瀏覽網頁、收發郵件或是其他商務應用之效能好壞,因而也成為業者重視之目標。目前已有Rambus推出新一代行動記憶體技術,以滿足行動裝置更高的效能要求。
Rambus產品行銷經理Rob Dhat認為,雖然近期DRAM步入大洗牌階段,但有意經營的廠商仍投注心力在開發更具附加價值的產品上,因而創新技術仍可望大受歡迎。
高速記憶體架構技術授權公司Rambus日前發表其創新行動記憶體(Mobile Memory Initiative, MMI)技術,Rambus產品行銷經理Rob Dhat指出,該公司看好新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機和可攜式多媒體播放器等應用需求,因而特別聚焦於高頻寬、低功耗的記憶體技術,目標為在同等級最佳能源效率下,最高可達到4.3Gbit/s的資料傳輸速率,為現有主流之三至四倍之譜。  

Dhat認為,上述效能將可協助設計人員透過單一行動動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置,開發出更多行動裝置上的多媒體應用。而Dhat更樂觀預估,在行動記憶體技術持續演進下,2011~2013年所推出的行動終端將可達17GB/s以上的頻寬,幾已逼近高階遊戲機PS3的24GB/s性能表現,其未來發展自然更加令人矚目。  

隨著行動裝置多媒體需求不斷提升,以及手機核心處理器的運轉速度倍增,單一時間內中核心處理器能夠處理的工作量變多,記憶體自然也就需要更大頻寬與更佳的時脈,才能跟上處理器的腳步。Dhat解釋,Rambus推出的技術,就特別針對擺幅差動訊號(Swing Differential Signaling)、時脈與電源管理進行強化,以滿足快速成長的頻寬需求。  

Rambus此次推出的新技術,由於採用該公司自我研發之時脈前送(Clock-forwarded)和時脈分配(Clock-distributed)拓撲FlexClocking架構,因而可實現高速運作和簡化的DRAM介面,以及提供省電模式之間的快速轉換時間,並可在不同使用模式下達到電源效率最適化的目標。  

不過,這項技術仍需要一段時間才能成熟,且勢必須要在40奈米的製程下才能實現。Dhat指出,由於上述技術尚屬前瞻階段,且近期DRAM產業正值大洗牌階段,業者對於未來之投資意願將直接影響對新技術之採納態度,因此可能需要一段時間才會見到業者的大規模採用。  

Rambus最早多著墨於個人電腦或遊戲機等市場,包括索尼(Sony)、德州儀器(Texas Instruments)與瞻博(Juniper)都分別採用Rambus的記憶體技術。不過Rambus近期因為身陷專利訴訟官司,與美光(Micron)、三星(Samsung)互有勝負,在2000年曾達114美元的股價,在2009年1月時僅約12美元。  

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