異質網路互聯蔚為風潮 PA設計挑戰多模應用

2007-11-09
隨著手機系統自GSM、GPRS至3G、3.5G或UMTS一路發展,現今的手機系統也須提供更複雜的多頻、多模的技術支援。近年來以IT為平台的無線通訊技術也不斷推陳出新,冀望帶給人們更多的便利,造成藍牙、無線區域網路等無線通訊產品需求快速成長。由於個人通訊、聯網的習慣改變,進一步加速異質網路的互聯應用與平台整合。
現今的無線通訊產品除了講求體積輕薄短小之外,功能上的需求卻日益增強,未來產品設計與應用的重點,將步向整合多頻、多模及不同之通訊標準,而電路設計將愈趨複雜化、須包含的元件也愈多,但產品體積的要求卻愈來愈小,因而早期On Board的設計模式將無法符合此一發展趨勢。整合將成為未來產品及零組件發展大道。而在此整合趨勢下,手機無疑是一個最佳的多模整合平台。  

在各種無線通訊產品中,不論是系統的家用無線電話、無線區域網路(WLAN)、個人無線通訊系統、行動衛星通訊系統、藍牙(Bluetooth)及新一代熱門無線技術全球微波存取互通介面(WiMAX)等,射頻功率放大器(PA)在整個無線通訊系統中都是非常重要的關鍵性元件。而原因正是放大器輸出功率,決定了通訊距離的長短、放大器效率影響電池的消秏程度及使用時間。  

多模工作挑戰放大器技術  

而在多模工作的整合趨勢之下,也對PA提出了全新的挑戰,因為不同模式對PA的功率和線性度有不同要求。例如,目前用於EDGE的PA要求高功率、一般線性度,用於WCDMA卻要求一般功率和高線性度。如果考量PA的線性度與效率之關係,兩者常無法兼顧。  

一般而言,較常用於個人通訊產品的PA可區分為三類,其導通角與效率比較如圖1。

圖1 三種不同類型PA之導通角及效率比較
A類放大器
  其為所有放大器中最基本的一種,它的線性度也是所有放大器中最高的,其導通角為360度,屬於全週期導通。然而,隨A類放大器具有良好的線性度,其效率卻非常低,在理想狀態下效率僅達50%,在實際電路中更在30%以下。
對於效率較低的缺點,可用各種諧波終端(Harmonic Termination)的電路設計技巧予以改進,雖然仍無法與高效率的功率放大器相比,但也有不小的幫助,對許多需要高線性度的系統來說,A類放大器仍是較好的選擇。
B類功率放大器
  其導通角為180度,屬於半週期導通,以異質接面雙極電晶體(HBT)為例,由於Vbe偏壓在VT,所以當沒有輸入訊號時,電路中僅有微小偏壓電流流動,故效率在理想狀態下可達到78%,但在實際電路中所能達到的效率不會超過60%。
AB類功率放大器
  此類放大器的特性介於A類與B類放大器間,其Vbe偏壓點均偏壓在VT之上,若能選擇適當的偏壓點即可同時得到良好的線性度和效率,一般來說其效率介於30~60%之間,為目前業界最常採用的類型。

二極體線性器有助PA線性度  

針對PA線性度特性的研究,通常可以利用反向迴授方法(Feedback)、順向迴授技術(Feedforward)以及搭配數位訊號處理(DSP)的預先失真補償等技術來提升線性度。但是這些方法通常會占用到額外的電路面積以及電源消耗,或是由於電路複雜,所以積體化難度較高。  

所以為了使功率放大器能改善其線性度,又希望電路不至於過度複雜,二極體線性器即為業界常見的解決方案之一。將電晶體基極與射極利用電阻串連起來,形成基-集極接面二極體來當做線性器,此一方式可以扮演預先失真器的功能,而達到提升功率放大器的線性度(圖2)。

圖2 二極體線性器電路示意圖

使用上述之二極體線性器,可以有效補償當功率級在輸入功率增加時,負週期之振幅失真(AM-AM Distortion)及相位失真(AM-PM Distortion),以改善電路的線性度以及功率附加效率(PAE)。  

但上述作法有時無法解決PA在不同工作溫度下之線性度劣化的現象,藉由業界創新的DTF-Biasing技術,此一現象已可獲得大幅改善。圖3與圖4為採用此一技術對高低溫變化之改善比較。

圖3 採用BTF-Biasing技術對高溫環境下線性度的改善狀況

圖4 採用BTF-Biasing技術對低溫環境下線性度的改善狀況

多模應用環境為功耗新瓶頸  

在現今多模應用的通訊產品中,功率放大特別具有挑戰性。由於目前PA的價格相對便宜,如果要使產品保持小型化、電池壽命長,使用獨立優化的PA似乎是最佳方案。但如果使用多個PA,成本和尺寸也是必須考慮的問題。因此最佳的途徑是採用高整合度、高效率的解決方案,以支援各相關的通訊標準。  

為了有效支援各個頻段的功率放大,以及降低空間需求,目前業界常見的作法為,將多晶片整合至單一封裝中,以解決系統廠商的問題。但是此種作法卻會進一步造成成本上揚,同時無法真正解決客戶對於功耗降低的期望。部分業者透過製程技術的進步,在降低功耗部分已經取得重大的突破。此種設計乃透過在同一晶片上製作GaAs雙載子和場效電晶體(FET)結構的技術,因而獲得比其他製程更高的整合度和性能。  

有別於製程改進的方式,部分業者致力於以電路方式面對此嚴峻的挑戰。其根本的原理乃是由Doherty PA的架構出發,將峰值放大器(Peaking Amplifier)及載波放大器(Carrier Amplifier)依據所欲對應之標準分別進行效率最佳化,以滿足在不同模式下對功耗的要求。依據此一設計的性能比較如圖5。

圖5 PA在不同back-off的功率輸出條件下,其PAE改善狀態

對於目前變化快速的通訊產業而言,要滿足未來的技術要求並非易事。但藉由產業鏈中相關廠商的努力,要提供更高性能的技術解決方案也有不錯的進展。相信在不久的將來,PA製造商將能提供一系列針對此需求的產品,大幅簡化系統設計者的任務。  

(本文作者為朗弗科技研發部經理)

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