半導體材料設計製造商Soitec日前宣布與高通(Qualcomm)達成供貨協定，未來Soitec將為高通提供基於Piezoelectric-on-insulator(POI)製程技術的基板，高通將把此基板應用於4G及5G智慧手機RF前端模組的RF濾波器。藉由使用POI基板，單一晶片將可整合更多濾波器，促進新一代行動通訊元件技術的發展。
高通德國資深副總裁兼RFFE總經理Christian Block表示，雙方達成的協定結合了Soitec的Smart Cut專利技術以及高通RF濾波器的設計，可使單晶片整合更多濾波器。
Soitec以具高電阻的矽作為POI基板，上覆氧化物層，再以非常薄且均勻的單晶壓電材料層覆蓋，並利用其專利晶圓分層與鍵合技術—150mm Smart Cut將晶圓切割，有利於基板的重複使用。同時，該技術搭配高通整合溫度補償功能的表面聲波(SAW)濾波器，可進一步降低損耗，並且消除SAW原先對於溫度較敏感的劣勢。
Soitec全球業務部門資深執行副總裁Bernard Aspar則對此表示，非常高興POI基板現已成為完整高通5G行動裝置的重要元素。同時由於Soitec在RF市場有豐富的經驗，尤其是大量的RF-SOI，再加上Smart Cut技術，相信有助於對POI的量產，進而可望使其成為5G RF濾波器的材料標準。