ROHM成功整合SiC-SBD和SiC-MOSFET

2012-07-04
羅姆電子(ROHM)推出適合工業裝置及太陽能發電系統功率調節器等裝置的變流器、轉換器電源IC。由於其低損耗與高可靠性等特性,因此可適用於各種應用領域,有效協助各種裝置實現低耗電、小體積目標。此一產品成功地將SiC蕭特基二極體和碳化矽-金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC-MOSFET)整合至同一封裝中。
羅姆電子(ROHM)推出適合工業裝置及太陽能發電系統功率調節器等裝置的變流器、轉換器電源IC。由於其低損耗與高可靠性等特性,因此可適用於各種應用領域,有效協助各種裝置實現低耗電、小體積目標。此一產品成功地將SiC蕭特基二極體和碳化矽-金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC-MOSFET)整合至同一封裝中。

目前在1200伏特(V)的變流器或轉換器上,一般均使用Si-絕緣閘雙極性電晶體(IGBT),但由於此類產品的尾電流或是外接快速回復二極體在回復時的功率轉換損耗較大,因此市場上對於兼具低損耗又能在高頻環境下工作的SiC-MOSFET莫不抱以殷切的期待。然而,由於傳統的SiC-MOSFET容易因為本體二極體(Body Diode)而造成特性不佳(導通電阻或順向電壓上升/承受度不佳)或閘極氧化膜故障等而衍生出許多可靠性上的問題,因此遲遲無法正式運用在產品上。

有鑑於此,羅姆改善結晶缺陷等相關製程及元件結構,克服了本體二極體上的可靠性問題。而單位面積導通(ON)電阻比傳統產品降低了約30%,因此晶片體積也更小,除此之外,還採用了獨創的安裝技術,成功地將原本必須外接的元件SiC蕭特基二極體整合在一起,並同時解決了SiC-MOSFET在本體二極體中的順向電壓問題。藉由上述改良,與一般變流器所使用的矽質IGBT相較之下,本產品的工作損耗可減少70%以上。同時實現了低損耗化及50kHz以上的高頻化,能選用更小的週邊零件協助整體小型化。

羅姆電子網址:www.rohm.com.tw

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