Fairchild推出800V SuperFET II金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，並具備廣泛的封裝選項、低通導電阻(Rdson)與輸出電容(Coss)。全新產品陣容支援設計人員600V/650V以上電壓的高效能解決方案，可改善效率、成本效益與可靠度，減少元件數量，精簡機板空間。
Fairchild推出800V SuperFET II金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，並具備廣泛的封裝選項、低通導電阻(Rdson)與輸出電容(Coss)。全新產品陣容支援設計人員600V/650V以上電壓的高效能解決方案，可改善效率、成本效益與可靠度，減少元件數量，精簡機板空間。
Fairchild技術行銷主任工程師Wonhwa Lee表示，使用Fairchild的800V SuperFET II MOSFET系列，製造商得以改善產品效率及可靠度；該產品具備優異的切換效能與低電阻，還使用了最新的超接面技術，使其具備比以往更小體積與更高效率，而內建耐高dv/dt條件的二極體，更可提高工業橋接電路的可靠度。
Fairchild最新的SuperFET II MOSFET系列是由二十六項裝置所組成，其通導電阻範圍從4.3Ohm起，最低可至60mOhm，皆包含在廣泛的標準封裝選項之中，為設計人員帶來更多選擇和彈性，還能針對特定應用，採用最理想的裝置。
Fairchild網址：www.fairchildsemi.com