Infineon 英飛凌

英飛凌發表新款CoolMOS C7電源IC

2013-05-29
英飛凌(Infineon)推出CoolMOS C7,擴充其高電壓產品組合,推出全新650伏特(V)超接面 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)技術。新款C7產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳RDS(on),此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率。C7 適用於硬式切換拓樸,例如連續導通模式功率因子校正(CCM PFC)、雙電晶體順向式(TTF)與太陽能升壓。典型的應用為太陽能、伺服器、電信和不斷電系統(UPS)。C7擁有650V的崩潰電壓,因此也適合須額外安全餘裕的應用。
英飛凌(Infineon)推出CoolMOS C7,擴充其高電壓產品組合,推出全新650伏特(V)超接面 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)技術。新款C7產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳RDS(on),此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率。C7 適用於硬式切換拓樸,例如連續導通模式功率因子校正(CCM PFC)、雙電晶體順向式(TTF)與太陽能升壓。典型的應用為太陽能、伺服器、電信和不斷電系統(UPS)。C7擁有650V的崩潰電壓,因此也適合須額外安全餘裕的應用。

英飛凌高電壓功率轉換產品部門主管Jan-Willem Reynaerts 表示,C7系列延續了英飛淩高品質超接面CoolMOS技術的12 年創新之路,強化了公司在高階電源轉換領域的領導地位。憑藉著CoolMOS C7 的最佳優值係數(RDS(on) EOSS),客戶得以設計出新一代結合更高的功率密度與效率的電源轉換系統。

C7系列提供業界最低的RDS(on)。C7 的快速切換效能現在可讓客戶產品首次以高於100kHz 的切換頻率運作,同時在伺服器主動功率因數校正(PFC)等級達成鈦金級的效率。這可減少被動元件所需的空間,進而實現更高的功率密度。

英飛凌網址:www.infineon.com

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