Eoss RDS HBM

英飛凌700V CoolMOSTM P7用於準諧振反馳式拓樸

2017-02-02
英飛凌(Infineon)針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢,推出全新700V CoolMOS P7系列。相較於目前所用的超接面技術,全新MOSFET的效能更為出色,適用於軟切換拓墣應用,包括智慧型手機、平板電腦充電器,還有筆記型電腦電源供應器。此外,新款CoolMOS也支援電視電源供應器、照明、音訊與輔助電源的快速切換及高功率密度設計要求。新產品系列優化了外型尺寸,可達成極輕薄設計的目標。
英飛凌(Infineon)針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢,推出全新700V CoolMOS P7系列。相較於目前所用的超接面技術,全新MOSFET的效能更為出色,適用於軟切換拓墣應用,包括智慧型手機、平板電腦充電器,還有筆記型電腦電源供應器。此外,新款CoolMOS也支援電視電源供應器、照明、音訊與輔助電源的快速切換及高功率密度設計要求。新產品系列優化了外型尺寸,可達成極輕薄設計的目標。

在切換損耗(Eoss)的表現方面,相較於市面上其他品牌產品,新款700V CoolMOS P7技術可將切換損耗減改善幅度由27%提昇至50%。應用於返馳式充電器時,這項技術可提升全機效率多達3.9%,此外,裝置溫度最多可降低16K。與先前的650V C6技術相比,平均效率提升2.4%,裝置溫度下降12K。

新款產品整合稽納二極體,確保其具備更高的ESD耐受性,最高達到HBM Class 2等級。如此一來,可改善組裝產能,進而減少生產相關故障並省下製造成本,最終提升客戶獲利能力。此外,700V CoolMOS P7 的 RDS(on)*Qg 與 RDS(on)*EOSS 極低,因此耗損相對較低。相較於C6技術和其他競爭對手的產品,最新系列還具備額外50V的阻斷電壓。

本站使用cookie及相關技術分析來改善使用者體驗。瞭解更多

我知道了!