瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布其已開發出第一款適用於汽車即時應用領域的40奈米(nm)記憶體智慧財產權(IP)。瑞薩也將是首先使用上述40奈米快閃記憶體技術，針對汽車應用領域推出40奈米嵌入式快閃記憶體微控制器(MCU)的廠商，其樣品將於2012年秋季開始供應。
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布其已開發出第一款適用於汽車即時應用領域的40奈米(nm)記憶體智慧財產權(IP)。瑞薩也將是首先使用上述40奈米快閃記憶體技術，針對汽車應用領域推出40奈米嵌入式快閃記憶體微控制器(MCU)的廠商，其樣品將於2012年秋季開始供應。
瑞薩電子在開發具有高品質及高可靠性的快閃記憶體金屬氮氧矽(MONOS)技術方面，擁有豐富的經驗且廣受好評。在2007年，瑞薩也是第一家推出90奈米汽車用快閃記憶體MCU產品的廠商。
瑞薩電子快閃記憶體MONOS技術為可擴充的技術，不僅可靠性高且具備高效能。40奈米快閃記憶體測試元件的評估結果，已證明其在資料保存、程式/抹除週期耐受性及程式設計時間等三個重要的參數方面，均能成功做到優異的特性表現。40奈米製程節點可整合多種與安全相關的功能性與通訊介面。
瑞薩電子40奈米快閃記憶體IP保證資料可保存20年，並可在最高170℃結合溫度下進行讀取。此外，程式碼快閃記憶體支援120MHz讀取速度，而資料快閃記憶體即使在125,000次程式/抹除週期後，仍可達到20年超長資料保存時間。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com