意法半導體(ST)宣布與Memoir Systems的合作開發出革新的演算法記憶體技術(Algorithmic Memory Technology)。新技術將用於製造採用完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術的專用特定應用積體電路(ASIC)和系統單晶片(SoC)的內部記憶體。
意法半導體(ST)宣布與Memoir Systems的合作開發出革新的演算法記憶體技術(Algorithmic Memory Technology)。新技術將用於製造採用完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術的專用特定應用積體電路(ASIC)和系統單晶片(SoC)的內部記憶體。
意法半導體設計支援服務執行副總裁Philippe Magarshack表示，與採用其他製程的元件相比，單獨使用FD-SOI製程的ASIC和SoC擁有更快的速度及更強的散熱性能。在增加了Memoir Systems的智慧財產權後，FD-SOI產品變得更加誘人，並使代碼移植變得更簡單。
當整合到採用FD-SOI製程的產品時，FD-SOI的功耗和性能優勢使Memoir Systems的演算法記憶體不會損失任何性能。此外，整合了FD-SOI的極低軟性錯誤率(SER)和超低漏電流的優勢為包括網路、交通、醫療和航空等特定關鍵應用帶來創新變化。
意法半導體網址：www.st.com